1
|
""1.Напiвпровiдниковi прилади: тиристор:-T358N14TOF-12шт;-T718N14TOF-12шт;-T719N14TOF-12шт;Країна виробництва - CNТорговельна марка - Eupec, Infineon Tech nologiesВиробник - Eupec, Infineon""
|
""ТОВ """"ХАЙЛАЙН ГРУПП""""""
|
Wanzhong Mechanical & Electrical Equipment (China HK) Limited
|
2017-09-08
|
0
|
2
|
1. Силові транзистори, модель IGBT (біополярний з ізольованим затвором).арт. CM400DY-24NF, Транзисторний модуль IGBT CM400DY-24NF, - 58 шт,арт. TT330N16KOF, Транзисторний модуль IGBT TT330N16KOF, - 40 шт,арт. SKM300GB123D, Транзисторний модуль IGBT SKM300GB123D, - 51 шт,арт. TZ240N32KOF, Транзисторний модуль IGBT TZ240N32KOF, - 5 шт,арт. TZ530N32KOF, Транзисторний модуль IGBT TZ530N32KOF, - 18 шт.Виробник: Wanzhong Mechanical & Electrical Equipment (China HK) Limited.Торгова марка: Wanzhong Mechanical & Electrical Equipment (China HK) Limited.Країна виробництва: CN.
|
""ТОВ """"СЕКТОРПЛЮС""""""
|
Wanzhong Mechanical & Electrical Equipment (China HK) Limited
|
2017-06-30
|
CN
|
3
|
1.Транзистори з потужністю розсіювання більш як 1Вт: транзисторний модуль(потужність 2кВт, напруга 1200В) арт. DF400R12KE3 -10шт.Торговельна марка : InfineonКраїна виробництва : DEВиробник : Infineon Technologies AG Викорис-ться в цивільній електротехніці.
|
ТОВ ""СТЕЛЛА ЕЛЕКТРОНІК""
|
Wanzhong Mechanical & Electrical Equipment (China HK) Limited
|
2016-07-22
|
UA
|
0.00
|
4
|
1. Транзистори, за винятком фототранзист орів, транзисторна збірка:- CM800DZ-34H - 24 шт; Напруга колектор-емітер: 1700 В; Струм к олектора: 800 А;Потужність розсіювання: 6200 Вт; Робоча температура: -40 до +150 С.Використовується у виробництві телекомунікаційного обладнання цивільногопризначення. Не є устаткуванн ям або захисними системами для застосува ння ввибухонебез печному середовищі.Виробник: Mitsubishi ElectricТорговельна марка: Mitsubishi ElectricКраїна виробництва: CN
|
ТОВ ""РКС КОМПОНЕНТИ УКРАЇНА""
|
Wanzhong Mechanical & Electrical Equipment (China HK) Limited
|
2016-07-12
|
PEOPLE’S REPUBLIC OF CHINA
|
0.00
|
5
|
1.Транзистори з потужністю розсіювання більш як 1Вт: транзисторний модуль (потужність 2кВт, напруга 1200В, сила струму 400А) арт. FD400R12KE3 -10шт. транзисторний модуль (потужність 1,25кВт, напруга 1200В, сила струму 150А) арт. FF150R12KS4 -10шт. транзисторний модуль (потужність 1,4кВт, напруга 1200В, сила струму 200А) арт. FF200R12KS4 -30шт. транзисторний модуль (потужність 1,95кВт, напруга 1200В, сила струму 300А) арт. FF300R12KS4 -40шт. Торговельна марка : Infenion Країна виробництва : DE Виробник : Infineon Technologies AG Викорис-ться в цивільній електротехніці.
|
ТОВ ""СТЕЛЛА ЕЛЕКТРОНІК""
|
Wanzhong Mechanical & Electrical Equipment (China HK) Limited
|
2016-05-29
|
UA
|
35.00 кг
|
6
|
1.Транзистори з потужністю розсіювання більш як 1Вт: транзисторний модуль (потужність 3Вт, напруга 1200В, сила струму 400А) арт. SKM400GAR125D -5шт. Торговельна марка : SEMIKRON Країна виробництва : DE Виробник : SEMIKRON Викорис-ться в цивільній електротехніці.
|
ТОВ ""СТЕЛЛА ЕЛЕКТРОНІК""
|
Wanzhong Mechanical & Electrical Equipment (China HK) Limited
|
2014-11-06
|
UA
|
0.80 кг
|