1
|
1.Електронні інтегровані схеми, запам'ятовувальні пристрої, технологія виготовлення КМОН, з вбудованою пам'ятю, тип пам'яті SDRAM, місткістю 4м х 32біт, артикул K4M513233C-DN75, кількість - 100 шт., напруга 3,0В-3,3В, період відновлення 64мс, струм 1
|
ТОВ ""КОГІТО"" 02002, вул.Степана Сагайдака 101
|
Sputnik E 7150 Chouinard, Monreal, QC, H8N 2Z6,
|
2011-01-31
|
UA
|
2
|
1.Електронні інтегровані схеми, технологія виготовлення КМОН, без вбудованої пам'яті, регулятори напруги, артикул MAX6328UR25, кількість - 370 шт., напруга 1,2В-5,5В, потужність 320мВт, кількість обробляємих напруг 1, затримка 280мс, робоча температу
|
ТОВ ""КОГІТО"" 02002, вул.Степана Сагайдака 101
|
Sputnik E 7150 Chouinard, Monreal, QC, H8N 2Z6,
|
2011-01-31
|
UA
|
3
|
1.Електронні інтегровані схеми, технологія виготовлення КМОН, без вбудованої пам'яті, регулятори напруги, артикул MAX8873REUK, кількість - 100 шт., вхідна напруга 3,5В-11В, вихідна напруга 1,25В-10В, струм 0,6А, частота 440кГц, робоча температура від
|
ТОВ ""КОГІТО"" 02002, вул.Степана Сагайдака 101
|
Sputnik E 7150 Chouinard, Monreal, QC, H8N 2Z6,
|
2011-01-31
|
UA
|