1
|
""1.Прилади напівпровідникові фоточутливі,не зібрані у модуль та не вмонтовані впанель:-фотодіод - 20 шт.Властивості: лавинний фотодіод (APD) наоснові арсеніду галію-індію (InGaAs);світлочутлива поверхня 200um; типкорпуса - TO-CAN; тип PIN - B; плоскевікно.Є високочутливим напівпровідниковимприладом, що перетворює світло велектричний сигнал за рахунок фотоефекту. Не є товаром подвійного використання.Вироби нові.Торговельна марка: немає данихВиробник: Shenzhen YiGuDian Technology Co., Ltd.Країна виробництва: CN""
|
""ТОВ """"КОНСТРУКТОРСЬКЕ БЮРО """"ЩИТ""""""
|
Shenzhen YiGuDian Technology Co., Ltd.
|
2022-01-28
|
CN
|
2
|
""1.Прилади напівпровідникові фоточутливі,не зібрані у модуль та не вмонтовані впанель:-фотодіод - 40 шт.Властивості: лавинний фотодіод (APD) наоснові арсеніду галію-індію (InGaAs);світлочутлива поверхня 200um; типкорпуса - TO-CAN; тип PIN - B; плоске вікно.Є високочутливим напівпровідниковимприладом, що перетворює світло велектричний сигнал за рахунок фотоефекту. Не є товаром подвійного використання.Вироби нові.Торговельна марка: немає данихВиробник: Shenzhen YiGuDian Technology Co., Ltd.Країна виробництва: CN""
|
""ТОВ """"КОНСТРУКТОРСЬКЕ БЮРО """"ЩИТ""""""
|
Shenzhen YiGuDian Technology Co., Ltd.
|
2021-07-23
|
CN
|
3
|
""1.Прилади напівпровідникові фоточутливі,не зібрані у модуль та не вмонтовані впанель:-фотодіод WAPD-OS200T46-B3.0PC - 30 шт.Є високочутливим напівпровідниковимприладом, що перетворює світло велектричний сигнал за рахунокфотоефекту. Властивості: лавиннийфотодіод (APD) на основі арсенідугалію-індію (InGaAs); світлочутливаповерхня 200um; тип PIN - B; плоскевікно. Не є товаром подвійного використання. Вироби нові.Торговельна марка: немає данихВиробник: Shenzhen YiGuDian Technology Co., Ltd.Країна виробництва: CN""
|
""ТОВ """"КОНСТРУКТОРСЬКЕ БЮРО """"ЩИТ""""""
|
Shenzhen YiGuDian Technology Co., Ltd.
|
2021-04-30
|
CN
|