1
|
1. Напівпровідникові вироби: APTGT50DH120TG Модуль транзисторний 50A/1200В -10шт. Виробник - MICROSEMI. Країна виробництва - PH. Торговельна марка - MICROSEMI.
|
""ПП НВФ """"VD MAIS""""""
|
MICROSEMI Power Module Products
|
2014-08-28
|
ФІЛІППІНИ
|
1.00 кг
|
2
|
1. Напiвпровiдниковi прилади: APTGT200A170D3G Модуль транзисторний 200A/1700V -10шт. Виробник - MICROSEMI. Країна виробництва - FR. Торговельна марка - MICROSEMI.
|
""ПП НВФ """"VD MAIS""""""
|
MICROSEMI Power Module Products
|
2013-01-09
|
UA
|
3
|
1. Напiвпровiдниковi прилади: APTGF50DH120T3G Модуль транзисторний 50A/1200V -4шт.
|
""ПП НВФ """"VD MAIS""""""
|
MICROSEMI Power Module Products
|
2012-11-06
|
UA
|
4
|
1. Напівпровідникові вироби: APTGF50DH120T3G Модуль транзисторний 50A/1200V -20шт, APTGT200A170D3G Модуль транзисторний 200A/1700V -20шт. Виробник-MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP.Країна вир
|
""ПП НВФ """"VD MAIS""""""
|
MICROSEMI Power Module Products
|
2011-11-09
|
UA
|
5
|
1. Модуль транзисторний: APTGT600U170D4G потужний біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT-модуль) 600A/1700В -19шт. Виробник-MICROSEMI Power Module ProductsКраїна виробництва - FR Торговельна марка-MICROSEMI 2. Місць 1. Пакування-картоннак
|
ПП НВФ ""VD MAIS"" 01033 м.Київ, вул.Жилянська,29
|
MICROSEMI Power Module Products 26 RUE CAMPILLE
|
2011-02-17
|
UA
|