1
|
""1. Транзистори кремнієві, біполярні, низькочастотні, не зібрані в модуль, не польові, не вмонтовані в панель, потужністю розсіювання більш як 1 Вт; Транзистор, артикул - MJE13007 TO-262 - 28000 штТранзистор, артикул - BLD135D SOT-82 - 20000 штТранзистор, артикул - BLD128D TO-252 - 20000 штВсього: 68000 штВикористовуються для виготовлення електронних приладів. Торговельна марка: SemiconductorsВиробник: Shenzhen SI Semiconductors CO.,LTD. Країна виробництва: Китай""
|
""ТОВ """"СовєК""""""
|
Hango Technology Co., Limited
|
2022-01-24
|
HK
|
2
|
1. Транзистори кремнієві, біполярні, низькочастотні, не зібрані в модуль, не польові, не вмонтовані в панель:- арт. MJE13007 TO-262 - 10000шт;Використовуються для виготовлення електронних приладів. Торговельна марка: SemiconductorsВиробник: Shenzhen SI Semiconductors CO.,LTD. Країна виробництва: Китай
|
ТОВ ""СовєК""
|
Hango Technology Co., Limited
|
2021-10-19
|
CN
|
3
|
""1. Транзистори кремнієві, біполярні, низькочастотні, не зібрані в модуль, не польові, не вмонтовані в панель, потужністю розсіювання більш як 1 Вт; Транзистор, артикул - MJE13007 TO-262 - 7000 штТранзистор, артикул - BLD135D SOT-82 - 4000 штТранзистор, артикул - BLD128D TO-252 - 2500 штТранзистор, артикул - SIF10N40E TO-220 - 1000 штВсього: 14500 штВикористовуються для виготовлення електронних приладів. Торговельна марка: SemiconductorsВиробник: Shenzhen SI Semiconductors CO.,LTD. Країна виробництва: Китай""
|
""ТОВ """"СовєК""""""
|
Hango Technology Co., Limited
|
2021-07-13
|
CN
|
4
|
""1. Транзистори кремнієві, біполярні, низькочастотні, не зібрані в модуль, не польові, не вмонтовані в панель, потужністю розсіювання більш як 1 Вт; Транзистор, артикул - MJE13007 TO-262 - 5000 штТранзистор, артикул - BLD135D SOT-82 - 5000 штТранзистор, артикул - BLD128D TO-252 - 10000 штТранзистор, артикул - SIF10N40E TO-220 - 5780 штВсього: 25780 штВикористовуються для виготовлення електронних приладів. Торговельна марка: SemiconductorsВиробник: Shenzhen SI Semiconductors CO.,LTD. Країна виробництва: Китай""
|
""ТОВ """"СовєК""""""
|
Hango Technology Co., Limited
|
2021-03-22
|
CN
|
5
|
""1. Транзистори кремнієві, біполярні, низькочастотні, не зібрані в модуль, не польові, не вмонтовані в панель, потужністю розсіювання більш як 1 Вт; артикул - MJE13007 TO-262 - 15000 штартикул - BLD135D SOT-82 - 13000 штартикул - BLD128D TO-252 - 5000 штартикул - SIF10N40E TO-220 - 5000 штВсього: 38000 / 4 картонних коробокВикористовуються для виготовлення електронних приладів. Торговельна марка: SemiconductorsВиробник: Shenzhen SI Semiconductors CO.,LTD. Країна виробництва: Китай""
|
""ТОВ """"СовєК""""""
|
Hango Technology Co., Limited
|
2021-03-04
|
CN
|
6
|
""1. Транзистори кремнієві, біполярні, низькочастотні, не зібрані в модуль, не польові, не вмонтовані в панель, потужністю розсіювання більш як 1 Вт; артикул MJE13007 ТО-262 - 5000 шт/ 1 коробкаВикористовуються для виготовлення електронних приладів. Торговельна марка: SemiconductorsВиробник: Shenzhen SI Semiconductors CO.,LTD. Країна виробництва: Китай""
|
""ТОВ """"СовєК""""""
|
Hango Technology Co., Limited
|
2020-12-09
|
CN
|
7
|
""1. Транзистори кремнієві, біполярні, низькочастотні, не зібрані в модуль, не польові, не вмонтовані в панель, потужністю розсіювання більш як 1 Вт; артикул MJE13007 ТО-262 - 10000 шт артикул BLD128D TO-252 - 7500 штартикул SIF10N40E TO-220 - 5000 штВсього: 22500Використовуються для виготовлення електронних приладів. Торговельна марка: SEMICONDUCTORSВиробник: SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS Co., Ltd, China Країна виробництва: Китай""
|
""ТОВ """"СовєК""""""
|
Hango Technology Co., Limited
|
2020-09-08
|
CN
|
8
|
1. Транзистори кремнієві, біполярні, низькочастотні, не зібрані в модуль, не польові, не вмонтовані в панель, потужністю розсіювання більш як 1 Вт; арт.: MJE13007 ТО-262 - 10000 шт, BLD128D SOT-252 - 7500 шт, SIF10N40E TO-220 - 5000 шт. Використовуються для виготовлення електронних приладів. Продукція не військового призначення і не подвійного використання. Торговельна марка: Semiconductors. Виробник: Shenzhen SI Semiconductors CO.,LTD. Країна виробництва: Китай.
|
ТОВ ""СовєК""
|
Hango Technology Co., Limited
|
2020-07-24
|
CN
|
9
|
""1. ТРАНЗИСТОРИ КРЕМНІЄВІ, БІПОЛЯРНІ, НИЗЬКОЧАСТОТНІ, НЕ ЗІБРАНІ В МОДУЛЬ, НЕ ПОЛЬОВІ, НЕ ВМОНТОВАНІ В ПАНЕЛЬ, ПОТУЖНІСТЮ РОЗСІЮВАННЯ БІЛЬШ ЯК 1 ВТ; АРТ.: MJE13007 ТО-262 - 24000 ШТ, АРТ.: BLD135D SOT-82 - 6000 ШТ, АРТ.: BLD128D TO-252 - 7500 ШТ. ВИКОРИСТОВУЮТЬСЯ ДЛЯ ВИГОТОВЛЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ. ТОРГОВЕЛЬНА МАРКА: SEMICONDUCTORS. ВИРОБНИК: SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD. КРАЇНА ВИРОБНИЦТВА: КИТАЙ.""
|
""ТОВ """"СОВЄК""""""
|
HANGO TECHNOLOGY CO., LIMITED
|
2019-11-01
|
CN
|
10
|
""1. Транзистори кремнієві, біполярні, низькочастотні, не зібрані в модуль, не польові, не вмонтовані в панель, потужністю розсіювання більш як 1 Вт; арт.: MJE13007 ТО-262 - 20000шт; арт.: BLD135D SOT-82 - 20000 шт; арт.: BLD128D ТО-252 - 10000 шт; арт.: SIF10N40E TO-220 - 10000 шт; арт.: MJE13007 ТО-263 - 10400 шт. Використовуються для виготовлення електронних приладів. Продукція не військового призначення і не подвійного використання. Торговельна марка: Semiconductors. Виробник: Shenzhen SI Semiconductors CO.,LTD. Країна виробництва: Китай.""
|
""ТОВ """"СК ІМПОРТ""""""
|
Hango Technology Co., Limited
|
2019-07-18
|
UA
|