|
1
|
1.ПНП(PNP) транзистор загального застосу вання:- FZT751 - 155 шт. Напруга: 60 В; Струм: 3 A; Потужність - 2 Вт.- FZT651TA - 150 шт. Напруга: 25 В; Струм: 3 A; Потужність - 2 Вт. Виконаний впластиковому корпусі SOT-223 Використовуються в приладах електроживил ьнихустановок. Не військового призначен ня.Торгівельна марка:""Zetex""Виробник:""Zetex Semiconductors"" Китай/CN
|
ТОВ Завод ""Ремпобуттехніка""
|
Asianic Enterprise (HK) Co., Ltd С/O Take Trend Trading Limited
|
2017-04-25
|
0
|
|
2
|
1.КОНДЕНСАТОРИ КЕРАМІЧНІ з кількома шара ми діелектрика.- CL31B223KGFNNNE - 2000 штук; розмір - 1206; ємність - 1000 pF,клас точності -5%, Напруга - 630В; Використовується в приладах електроживи льних установок. Невійськового призначе ння.Торгова марка:""Samsung"".Виробник:""Samsung Group"" Китай/CN.
|
ТОВ Завод ""Ремпобуттехніка""
|
Asianic Enterprise (HK) Co., Ltd С/O Take Trend Trading Limited
|
2017-04-25
|
0
|
|
3
|
1. ДІОД:- HFA04TB60 - 410 штук. Напруга - 600 В; Струм - 4 А; Потужність- 25 Вт(приТ=25С). Виконаний в корпусі TO-220AC з 2-ма виводами. Використовуєтьсяімпульсних джерелах живлення. Не військового призначення. Торгова Марка: ""IR""Виробник:""International Rectifier Corporation"" CN/Китай
|
ТОВ Завод ""Ремпобуттехніка""
|
Asianic Enterprise (HK) Co., Ltd С/O Take Trend Trading Limited
|
2017-04-25
|
0
|
|
4
|
1.ТРАНЗИСТОР силіконовий NPN:- PZTA44 - 210 штук Напруга - 400 В. Струм - 300 мА. Потужність - 1.35 Вт.Виконаний в корпусі SOT-223 Використовуються при виробництві блоківбезперебійного живлення. Не військового призначення.Торгова марка :""NXP""Виробник:""NXP Semiconductors(Beijing) Co., Ltd"" CN/Китай
|
ТОВ Завод ""Ремпобуттехніка""
|
Asianic Enterprise (HK) Co., Ltd С/O Take Trend Trading Limited
|
2017-04-25
|
0
|
|
5
|
1. Електронні інтегровані схеми: Трьохконтактний регулятор позитивної нап руги:- L78L15ACUTR - 105 штук. Напруга постійна - 35 В. Вих. напруга - 15 В.Вих.струм до 0,1 А. Операційна температура від 0С до 125С Виконаний в корпусі:SOT-89; Використовується в багатьох приладах як основні регулятори позитивноїнапруги дж ерел струму.Не військового призначення, не містять пам""яті таприймально-передаю чих засобівТоргівельна марка: ""ST""Виробник: ""STMicroelectronics Beijing R&D Inc."" Китай/CN
|
ТОВ Завод ""Ремпобуттехніка""
|
Asianic Enterprise (HK) Co., Ltd С/O Take Trend Trading Limited
|
2017-04-25
|
0
|
|
6
|
1. ДІОД високошвидкісний, випрямляючий. Виготовляється в стандартному закритомуSOD 323 корпусі.Використовується на вихо ді у високочастотних силових пристроях.- BAS316 - 3000 штук. Максимальна напруга - 85В;струм - 500mA Потужністьрозсіювання - 0,4 Вт. Частота - 1 МГц. Використовується в приладах електроживильних установок. Не для військового призн ачення. Торгова марка: ""NXP""Виробник: ""NXP Semiconductors (Beijing) Ltd"" CN/Китай
|
ТОВ Завод ""Ремпобуттехніка""
|
Asianic Enterprise (HK) Co., Ltd С/O Take Trend Trading Limited
|
2017-04-25
|
0
|
|
7
|
1. ТРАНЗИСТОРИ ПОЛЬОВІ ПОТУЖНІ:- IRF740 - 410 шт. Напруга - 400 В; Струм - 10 А; Максимальна частота - 1 МГц;Потужність - 125 Вт. Виконаний в корпусі ТО-220AB з 3 вивода ми. Мають швидкийкомутаційний час, покраще ний затвор. Застосовуються для вмикання силовихприладів, та імпульсних джерел ж ивлення. Не військового призначення.Торгівельна марка: ""IR"" Фірма виробник: ""International Rectifier Corporation""CN/Китай
|
ТОВ Завод ""Ремпобуттехніка""
|
Asianic Enterprise (HK) Co., Ltd С/O Take Trend Trading Limited
|
2017-04-25
|
0
|
|
8
|
1. ТРАНЗИСТОРИ ПОЛЬОВІ ПОТУЖНІ:- IRFB52N15D - 203 штуки Напруга - 200 В; Струм - 51 А; Потужність 230 Вт.Максимальна частота - 1 МГц; Виконаний в корпусі TO-220АВ, 3 виводи. Робочатемпература:-55 до +175С. Мають низький заряд затвору до стоку длязниження/перемикання втрат.Використовуют ься при виробництві високочастотнихконв ертерів. Не військового призначення. Торгова Марка: ""IR"" Фірма виробник:""International Rectifier Corporation"" CN/Китай
|
ТОВ Завод ""Ремпобуттехніка""
|
Asianic Enterprise (HK) Co., Ltd С/O Take Trend Trading Limited
|
2017-04-25
|
0
|
|
9
|
1. Мікросхема інтегрована PWM(Pulse-widt hmodulation/широтно-імпульснамодуляція) контролер низької потужності із вбудован им силовим перемикачем тасхемою запуску для телекомунікаційних систем 48В:- NCP1031DR2 - 205 штук. Виготовлена в корпусі (SOIC-8), що має 8 контактнихвиводів. Технічні характеристики: Напруга - 0.3-16 В, струм - 100 мА, Напругаперемикання - 200 В; Струм - 2А. потужність - 0.893 Вт, Температурний режимроботи від -55 до +150 С. Не містить пам""яті та приймачів чи передавачів. Не длявійськового призначення, не використовується у вибухонебезпечному середовищі.Використовуються в приладах електроживильних установок.Торгова марка:""ON Semiconductor""Виробник:""ON Semiconductor Design (Shanghai) Limited"" CN/Китай
|
ТОВ Завод ""Ремпобуттехніка""
|
Asianic Enterprise (HK) Co., Ltd С/O Take Trend Trading Limited
|
2017-04-25
|
0
|
|
10
|
1. ДІОД ШОТКИ:- 16CTQ100 - 100 штук В корпусі типу TO-220, з 3-ма виводами, негорючий. Напруга- 100 В; Струм - 15 А; Використовується для захисту батарей від зворотньогоструму. Не військового призначення.Торгова марка: ""Vishay""Виробник: ""Vishay General Semiconductor (China) Co., Ltd"" Китай/CN
|
ТОВ Завод ""Ремпобуттехніка""
|
Asianic Enterprise (HK) Co., Ltd С/O Take Trend Trading Limited
|
2017-04-25
|
0
|
