1
|
1.Інтегральні цифрові логічні мікросхеми виготовлені за біополярною технологією: 136ЛА4 ОСМ -15шт./И63.088.023ТУ1 та П0.070.052/, 136ТВ1 ОСМ -15шт./И63.088.023ТУ1 та П0.070.052/. Не відносяться до мікросхем пам'яті . Місткості пам'яті не має. До технології виготовлення МОН, БІМОН, КМОН- не відносяться. Запам'ятовувальні пристрої відсутні. Використовуються в радіотехнічній апаратурів діапазоні температур від мінус 50 до +50гр.С. Всього:30шт. Країна виробництва : BY. Виробник: ОАО ""ИНТЕГРАЛ"", м. Мінськ. Торговельна марка: Открытое акционерное общество ""Интеграл"".
|
ПАТ""ЧЕЗАРА""
|
ОАО ""ИНТЕГРАЛ""
|
2014-04-07
|
БІЛОРУСЬ
|
30.00 шт
|
2
|
1.Кремнієві епітаксіально-планарні п-р-п ЗВЧ транзистори в металевокерамічному корпусі: 2Т913Б ОСМ - 20шт./Я53.365.010ТУ та ПО.070.052/. Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора 8Вт. Використовуються в радіотехнічній апаратурі в діапазоні температур від мінус 50 до +50гр.С. Всього: 20шт. Країна виробництва : BY. Виробник: ОАО ""ИНТЕГРАЛ"", м. Мінськ. Торговельна марка: Открытое акционерное общество ""Интеграл"".
|
ПАТ""ЧЕЗАРА""
|
ОАО ""ИНТЕГРАЛ""
|
2014-04-07
|
БІЛОРУСЬ
|
0.06 кг
|
3
|
1.Кремнієві епітаксіально-планарні імпульсні напівпровідникові в металево-керамічному корпусі діодні матриці: 2ДС627А ОСМ - 350шт./дР3.454.000ТУ та ПО.070.052/. Діодні матриці кремнієві епітаксіально-планарні імпульсні напівпровідникові зі спільним катодом в плоскому металево-скляному корпусі: ОСМ 2Д908А -15шт./дР3.362.026ТУ та П0.070.052/. Використовуються в радіотехнічній апаратурі в діапазоні температур від мінус 50 до +50гр.С. Вказані вироби не відносяться до дискретних мікрохвильових транзисторів, а також не є електронними пристроями. Всього: 365шт. Країна виробництва : BY. Виробник: ОАО ""ИНТЕГРАЛ"", м. Мінськ. Торговельна марка: Открытое акционерное общество ""Интеграл"".
|
ПАТ""ЧЕЗАРА""
|
ОАО ""ИНТЕГРАЛ""
|
2014-04-07
|
БІЛОРУСЬ
|
0.50 кг
|
4
|
1.Кремнієві імпульсні епітаксіально-планарні напівпровідникові в металево-керамічному корпусі діодні матриці: ОСМ2ДС627А - 350шт./дР3.454.000ТУ та ПО.070.052/. Вказані вироби не відносяться до дискретних мікрохвильових транзисторів, а також не є електронними пристроями. Використовуються в радіотехнічній апаратурі в діапазоні температур від мінус 50 до +50гр.С. Всього: 350шт. Країна виробництва : BY. Виробник: ОАО ""ИНТЕГРАЛ"", м. Мінськ. Торговельна марка: Открытое акционерное общество ""Интеграл"".
|
ПАТ""ЧЕЗАРА""
|
ОАО ""ИНТЕГРАЛ""
|
2014-03-19
|
БІЛОРУСЬ
|
0.70 кг
|
5
|
1.Кремнієві епітаксіально-планарні п-р-п ЗВЧ транзистори в металевокерамічному корпусі, призначені для роботи спеціального призначення: 2Т913А - 5шт./Я53.365.010ТУ/ максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора 4,7Вт., 2Т913В - 10шт./Я53.365.010ТУ/ максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора 12Вт. Кремнієві епітаксіально-планарні п-р-п ЗВЧ транзистори, призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах, умножувачах ЗВЧ-діапазону та інших пристроях в складі гібридних інтегральних мікросхем: 2Т607А-4 - 12шт./Я53.365.008ТУ/ максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора 1,5Вт. Використовуються в радіотехнічній апаратурі в діапазоні температур від мінус 50 до +50гр.С. Не відносяться до дискретних мікрохвильових транзисторів, а також не є електронними пристроями. Всього: 27шт. Країна виробництва : BY. Виробник: ОАО ""ИНТЕГРАЛ"", м. Мінськ. Торговельна марка: Открытое акционерное общество ""Интеграл"".
|
ПАТ""ЧЕЗАРА""
|
ОАО ""ИНТЕГРАЛ""
|
2014-02-27
|
БІЛОРУСЬ
|
0.33 кг
|
6
|
1. Кремнієві епітаксіально-планарні п-р-п транзистори, призначені для використання у системах пам'яті ЕОМ у складі гібридних інтегральних мікросхем, поставляються з гнучкими виводами на кристалоутримувачі: 2Т625АМ-2 - 10шт./Я53.365.022-03ТУ/. Гранична частота коефіцієнта передачі струму не менше 200 та не більше 550МГц. Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора не більше 1Вт. Використовуються в радіотехнічній апаратурі в діапазоні температур від мінус 50 до +50гр.С. Вказані вироби не відносяться до дискретних мікрохвильових транзисторів, а також не є електронними пристроями. Всього: 10шт. Країна виробництва : BY. Виробник: ОАО ""ИНТЕГРАЛ"", м. Мінськ. Торговельна марка: Открытое акционерное общество ""Интеграл"".
|
ПАТ""ЧЕЗАРА""
|
ОАО ""ИНТЕГРАЛ""
|
2014-02-27
|
БІЛОРУСЬ
|
0.12 кг
|
7
|
1.Кремнієві планарно-епітаксіальні імпульсні безкорпусні діодні матриці зі спільним катодом, призначені для використання у гібридних схемах: 2Д907Г-1 - 170шт./дР3.362.014ТУ/. Діодні матриці кремнієві епітаксіально-планарні імпульсні безкорпусні зі спільним анодом, призначені для використання у гібридних схемах, блоках, апаратурі: 2Д918Б-1 -150шт./дР3.362.036ТУ/., 2Д918Г-1 -1450шт./дР3.362.036ТУ/. Використовуються в радіотехнічній апаратурі в діапазоні температур від мінус 50 до +50гр.С. Вказані вироби не відносяться до дискретних мікрохвильових транзисторів, а також не є електронними пристроями. Всього: 1770шт. Країна виробництва : BY. Виробник: ОАО ""ИНТЕГРАЛ"", м. Мінськ. Торговельна марка: Открытое акционерное общество ""Интеграл"".
|
ПАТ""ЧЕЗАРА""
|
ОАО ""ИНТЕГРАЛ""
|
2014-01-28
|
БІЛОРУСЬ
|
3.50 кг
|
8
|
1.Кремнiєвi епiтаксiально-планарнi п-р-п ЗВЧ транзистори в металевокерамiчному корпусi, призначенi для роботи спецiального призначення: 2Т913А - 5шт./Я53.365.010ТУ/ максимально допустима постiйна розсiювана потужнiсть колектора 4,7Вт., 2Т913В - 5шт./
|
""ПАТ""""ЧЕЗАРА""""""
|
""ОАО """"ИНТЕГРАЛ""""""
|
2013-12-26
|
UA
|
9
|
1. Кремнiєвi епiтаксiально-планарнi п-р-п транзистори, призначенi для використання у системах пам'ятi ЕОМ у складi гiбридних iнтегральних мiкросхем, поставляються з гнучкими виводами на кристалоутримувачi: 2Т625АМ-2 - 10шт./Я53.365.022-03ТУ/. Гранич
|
""ПАТ""""ЧЕЗАРА""""""
|
""ОАО """"ИНТЕГРАЛ""""""
|
2013-12-26
|
UA
|
10
|
1.Кремнiєвi епiтаксiально-планарнi п-р-п ЗВЧ транзистори в металевокерамiчному корпусi: 2Т913Б ОСМ - 20шт./Я53.365.010ТУ та ПО.070.052/. Використовуються в радiотехнiчнiй апаратурi в дiапазонi температур вiд мiнус 50 до +50гр.С. Всього: 20шт. Краї
|
""ПАТ""""ЧЕЗАРА""""""
|
""ОАО """"ИНТЕГРАЛ""""""
|
2013-11-18
|
UA
|