1
|
1. Інші прилади напівпровідникові. Модуль напівпровідниковий термоелектричний (Пелетье єлемент),типу:МТ0,44-1,4-127T2eS - 110 штук. Силою струму 1,4 Ампер,напругою 14,4В, шириною 32+/-0,1мм,довжиною 27+/-0,1мм, товщиною 3
|
ON Semiconductor Image Sensor BVBA
|
""ТОВ НВФ """"МОДУЛЬ""""""
|
2011-07-29
|
UKRAINE
|
2
|
1. Інші прилади напівпровідникові. Модуль напівпровідниковий термоелектричний (Пелетье єлемент),типу:МТ0,44-1,4-127T2eS - 90 штук. Силою струму 1,4 Ампер,напругою 14,4В, шириною 32+/-0,1мм,довжиною 27+/-0,1мм, товщиною 3
|
ON Semiconductor Image Sensor BVBA
|
""ТОВ НВФ """"МОДУЛЬ""""""
|
2011-07-15
|
UKRAINE
|
3
|
1. Інші прилади напівпровідникові. Модуль напівпровідниковий термоелектричний (Пелетье єлемент),типу:МТ0,44-1,4-127T2eS - 100 штук. Силою струму 1,4 Ампер,напругою 14,4В, шириною 32+/-0,1мм,довжиною 27+/-0,1мм, товщиною 3
|
ON Semiconductor Image Sensor BVBA
|
""ТОВ НВФ """"МОДУЛЬ""""""
|
2011-07-11
|
UKRAINE
|
4
|
1. Інші прилади напівпровідникові. Модуль напівпровідниковий термоелектричний (Пелетье єлемент),типу:МТ0,44-1,4-127T2eS - 100 штук. Силою струму 1,4 Ампер,напругою 14,4В, шириною 32+/-0,1мм,довжиною 27+/-0,1мм, товщиною 3
|
ON Semiconductor Image Sensor BVBA
|
""ТОВ НВФ """"МОДУЛЬ""""""
|
2011-07-01
|
UKRAINE
|
5
|
1. Інші прилади напівпровідникові. Модуль напівпровідниковий термоелектричний (Пелетье єлемент),типу:МТ0,44-1,4-127T2eS - 100 штук. Силою струму 1,4 Ампер,напругою 14,4В, шириною 32+/-0,1мм,довжиною 27+/-0,1мм, товщиною 3
|
ON Semiconductor Image Sensor BVBA
|
""ТОВ НВФ """"МОДУЛЬ""""""
|
2011-05-13
|
UKRAINE
|